Il cristallo laser ultraveloce Microchip è stato applicato con successo nell'area fotoelettrica

Coupletech offre microchip Laser Crystal per laser a disco. Gli effetti delle lenti termiche prodotti nei tradizionali laser a stato solido con pompa a semiconduttore determinano una degradazione della qualità del raggio laser e limitano la potenza erogata. Lo spessore del mezzo laser a microchip è solitamente inferiore a 1 mm. In condizioni di pompaggio e raffreddamento uniformi, il flusso di calore medio è una conduzione approssimativamente unidimensionale perpendicolare alla superficie del wafer, riducendo al minimo l'effetto della distorsione termica causata dall'effetto della lente termica. Il laser a microchip può emettere un laser di alta qualità del raggio (modalità gaussiana TEM00) e monocromaticità (modalità longitudinale singola, larghezza della linea inferiore a 5 kHz), che è molto importante nei campi della comunicazione, della misurazione, delle cure mediche, della lavorazione industriale, della ricerca scientifica e militare applicazioni. applicazione.

Coupletech fornisce tutti i tipi di cristalli laser tra cui Nd: YVO4, Nd: YAG, Diffusion Bonded Composite Crystal, Nd: YLF, Yb: YAG, Cr: YAG e il loro cristallo micro-disco. per esempio. Il cristallo ultrasottile Nd:YAG+Cr:YAG viene solitamente utilizzato per il laser ultraveloce del disco ed è progettato per un volume molto piccolo per il laser fs e il laser ps. Ora sono apparsi sempre più nuovi tipi di cristalli laser, il cristallo laser drogato con Yb ha un nuovo membro, vale a dire, la ricerca mostra che un nuovo concetto di "sistema a quasi quattro livelli di ioni Yb3 + accoppiato in campo forte" "utilizzando Il forte accoppiamento di campo aumenta il livello di energia della scissione ionica Yb3+, riduce la proporzione di popolazione calda sotto il laser e raggiunge un funzionamento laser a quasi quattro livelli di ioni Yb3+. Selezionare Yb con la più alta conducibilità termica (7.5Wm-1K-1) e l'unico coefficiente di temperatura dell'indice di rifrazione negativo (dn/dT=-6.3 Ì 10-6K-1) nei cristalli di silicato positivi e negativi: un nuovo tipo di cristallo Il cristallo Sc2SiO5 (Yb:SSO) viene coltivato con il metodo Czochralski. L'uscita laser a cristallo e l'uscita laser ultraveloce sono state implementate, microchip Yb:SSO con spessori di 150 μm sono stati utilizzati per ottenere 75 W (M2 <1.1) e 280 W di alta qualità del raggio, uscita laser continua ad alta potenza 298 fs. Recentemente, in questo cristallo è stata implementata un'uscita laser ultraveloce con blocco della modalità di 73 fs.